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Dual, SiGe, High-Linearity, 1700MHz to 2200MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer/Switch
+5.0V SUPPLY AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(Typical Application Circuit optimized for the DCS/PCS band, R1 = R4 = 806 Ω , R2 = R5 = 2.32k Ω , V CC = +4.75V to +5.25V, RF and
LO ports are driven from 50 Ω sources, P LO = -3dBm to +3dBm, PRF = -5dBm, f RF = 1700MHz to 2000MHz, f LO = 1510MHz to
1810MHz, f IF = 190MHz, f RF > f LO , T C = -40°C to +85°C. Typical values are at V CC = +5.0V, P RF = -5dBm, P LO = 0dBm,
fRF = 1800MHz, f LO = 1610MHz, f IF = 190MHz, T C = +25°C, unless otherwise noted.) (Note 6)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
f RF1 - f RF2 = 1MHz, P RF = -5dBm per tone,
f RF = 2000MHz for min value
f IF = 190MHz, f LO = 1810MHz, f RF =
2000MHz for min value, f RF1 - f RF2 = 1MHz,
P RF = -5dBm per tone, T C = +25°C to
20.5
21.5
23.7
23.7
Input Intercept Point
IIP3
+85°C
dBm
Typical Application Circuit optimized for
UMTS band (R1 = R4 = 681 Ω , R2 = R5 =
1.5k Ω ), f LO = 1760MHz, f IF = 190MHz,
f RF = 1950MHz, f RF1 - f RF2 = 1MHz,
P RF = -5dBm per tone
24.8
Input Intercept Variation Over
Temperature
TC IIP3
f RF1 - f RF2 = 1MHz, P RF = -5dBm per tone,
T C = -40°C to +85°C
Single sideband, no blockers present
(Note 8)
0.0035
9
11
dBm/°C
f LO = 1610MHz, f IF = 190MHz,
f RF = 1800MHz, T C = +25°C, P LO = 0dBm,
single sideband, no blockers present
9
9.6
Noise Figure
NF SSB
(Note 8)
dB
Typical Application Circuit optimized for
UMTS band (R1 = R4 = 681 Ω , R2 = R5 =
1.5k Ω ), f IF = 190MHz, f LO = 1760MHz,
f RF = 1950MHz, single sideband, no
blockers present
9.3
Noise Figure Temperature
Coefficient
TC NF
Single sideband, no blockers present,
T C = -40°C to +85°C
0.016
dB/°C
f BLOCKER = 1900MHz, P BLOCKER =
Noise Figure with Blocker
NF B
+8dBm, f RF = 1800MHz, f LO = 1610MHz,
P LO = 0dBm, V CC = +5.0V, T C = +25°C
19
20.5
dB
(Notes 8, 9)
4
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